Hersteller Produktnummer:
TSM1N45CT A3G
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM1N45CT A3G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 450V 500MA TO92
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 450 V 500mA (Tc) 2W (Tc) Through Hole TO-92
Inventar:
12892892
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TSM1N45CT A3G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
450 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
500mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.25Ohm @ 250mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.25V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
235 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
TSM1N45CTA3GDKRINACTIVE
TSM1N45CT B0GCT
TSM1N45CT B0GDKRINACTIVE-DG
TSM1N45CTA3GTB
TSM1N45CTA3GCT
TSM1N45CTA3GCTINACTIVE
TSM1N45CT A3GDKRINACTIVE-DG
TSM1N45CT B0GDKR-DG
TSM1N45CT A3GCT-DG
TSM1N45CT A3GCT
TSM1N45CT A3GTB
TSM1N45CT A3GTB-DG
TSM1N45CT B0GCTINACTIVE-DG
TSM1N45CT B0GDKR
TSM1N45CT A3GCTINACTIVE-DG
TSM1N45CT B0GCT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STQ2HNK60ZR-AP
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
9835
TEILNUMMER
STQ2HNK60ZR-AP-DG
Einheitspreis
0.28
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